Hersteller Produktnummer:
TSM085P03CV RGG
Product Overview
Hersteller:
Taiwan Semiconductor Corporation
Teilenummer:
TSM085P03CV RGG-DG
Beschreibung:
MOSFET P-CH 30V 64A 8PDFN
Detaillierte Beschreibung:
P-Channel 30 V 64A (Tc) 50W (Tc) Surface Mount 8-PDFN (3.1x3.1)
Inventar:
54598 Stück Neu Original Auf Lager
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TSM085P03CV RGG Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
Taiwan Semiconductor
Verpackung
Tape & Reel (TR)
Reihe
-
Produktstatus
Active
FET-Typ
P-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
30 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
64A (Tc)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
4.5V, 10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
8.5mOhm @ 14A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
2.5V @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
55 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
3234 pF @ 15 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
50W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Art der Montage
Surface Mount
Gerätepaket für Lieferanten
8-PDFN (3.1x3.1)
Paket / Koffer
8-PowerWDFN
Basis-Produktnummer
TSM085
Datenblatt & Dokumente
Datenblätter
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
5,000
Andere Namen
TSM085P03CV RGGCT-DG
TSM085P03CV RGGTR
TSM085P03CV RGGTR-DG
TSM085P03CV RGGCT
TSM085P03CV RGGDKR-DG
TSM085P03CVRGGDKR
TSM085P03CVRGGCT
TSM085P03CVRGGTR
TSM085P03CV RGGDKR
Umwelt- und Exportklassifizierung
RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI-Zertifizierung
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